美國橡樹嶺國家實驗室（來源：維科網?新材料）
發(fā)布時間：2020-07-30
近日，美國橡樹嶺國家實驗室（Oak Ridge National Laboratory）的Ivan V. Vlassiouk博士聯(lián)合萊斯大學（Rice University）Boris I. Yakobson博士和新墨西哥州立大學（New Mexico State University）的Sergei N. Smirnov博士在Nature Materials 上發(fā)表文章，報道了他們在多晶襯底上生長“英尺級”連續(xù)單晶單層石墨烯薄膜的重大突破。他們采用一種化學氣相沉積（CVD）技術，借鑒單晶生產常見的提拉法（Czochralski process）的思路，基于“進化選擇（evolutionary selection）”生長法在多晶襯底上以2.5厘米/小時的速度生長大尺寸連續(xù)單晶單層石墨烯薄膜。其中一個實驗所制備的石墨烯薄膜，長度可達1英尺（約30厘米）。
在下圖實驗室中看到了科晶設備的身影：
Ivan Vlassiouk博士。圖片來源：ORNL
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科晶公司擁有用于大面積、高質量石墨烯及其他二維材料的規(guī)?；L的卷對卷石墨烯制備管式爐系統(tǒng)：
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