碳化硅是全球最先進的第三代半導體材料。和第一代的硅、第二代的砷化鎵材料相比，它具有耐高壓、高頻、大功率等優(yōu)良的物理特性，是衛(wèi)星通訊、高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通訊基站等重要領域的核心材料。科晶聯(lián)盟提供全套碳化硅基片研發(fā)的全套設備， 為新一代碳化硅基片的開發(fā)助力。
編 號 | 設備名稱 & P/N | 照 片 | 用 途 |
1 | 100T壓機 |
| 將粉末預壓成圓片以便均勻蒸發(fā)或融化 |
2 | SiC 晶體生長 |
TSSG Sublimation | 真空感應加熱晶體生長爐（ 2000 -2400oC） · 頂部籽晶溶液生長 · 升華外延生長 |
3 | 高溫退火爐 |
| 1600 – 1800oC +/- 0.1 C 精度 |
4 | 單晶定向 |
| 晶體定向 |
5 | SiC晶片切割 |
| 金剛石線精確切片 |
6 | SiC基片外延拋光 |
| 光潔度 《 10A |
7 | 等離子& 臭氧清洗 |
| 外延薄膜生長前去除表面污染 |
8 | 晶片包裝盒 |
| 安全包裝盒運輸 |
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