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A-Z晶體及材料加熱爐系列樣品處理設(shè)備電池制備設(shè)備分析檢測(cè)設(shè)備其他實(shí)驗(yàn)室設(shè)備技術(shù)支持/服務(wù)培訓(xùn)

加熱爐設(shè)備
晶體及材料
破碎/球磨設(shè)備
壓片設(shè)備
輥壓設(shè)備
切割設(shè)備
磨拋設(shè)備
清洗設(shè)備
電池研發(fā)設(shè)備
薄膜制備
配件
其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備

熱處理設(shè)備: 管式爐箱式爐箱管混合

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加熱方式: 電阻加熱紅外燈管加熱感應(yīng)加熱微波加熱

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加熱形式: 常規(guī)爐立式箱管混合式回轉(zhuǎn)爐

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加熱溫度: 300-1200 1250-1500 1600-2000

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加熱溫區(qū): 單溫區(qū) 雙溫區(qū) 三溫區(qū) 多溫區(qū) 感應(yīng)加熱專用

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管徑: ф?25 ф?50 ф?60 ф?80 ф?100 ф?120及以上

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*(A - C )*	(C - G)	*( G - L )*	*( L - P )*		*( S - T )*	*( W - Z )*
Al	CeO2（外延膜）	GdScO3/ScO2截止面GdS cO3晶體基片	LSGM	Ni	ScMgAlO4	W（金屬）
Al2O3	CdS	GSGG?&GYSGG	MgAl2O4	NdGaO3	SrTiO3(國(guó)產(chǎn),進(jìn)口,Ti面終止SrTiO3)	WS2
AlN單晶	CdSe	Graphite(普通：熱解)	Mg	Nd3Ga5O12	Nb:SrTiO3?（國(guó)產(chǎn)，進(jìn)口）	WSe2
Ag	CdTe	Hg(1-x)Cd(x)Te	MgF2	PET 薄膜	SrLaAlO4	WTe2
Au	CdZnTe	HOPG	MgO	PbWO4	SrLaGaO4	YAlO3
Au/Cr涂層 SiO2/Si	CsI (TI)	HfTe2	氟晶云母片	PMN-PT	SiO2（玻璃和單晶）	YAG
BaF2	Co	InAs	Mo（金屬）	PIN-PMN-PT	SiC(4H,6H)	YIG（Y3FeO12）
BaTiO3	DyScO3/ScO2截止面DyScO3晶體基片	InP	MoS2	PbS	SBN	YVO4
Bi2Te3	C（金剛石）單晶	InSb	MoSe2	PbF2	Si	YSZ
Bi4Ge3O12(BGO12)		KCl	MoTe2	PtTe2	SOI	ZnO
Bi12GeO20(BGO20)	Fe 金屬	KH2PO4	MoP	PdTe2	SmScO3	YSGG
BP黑磷	Fe2O3	KTaO3	MnPS3	PtSe2		ZnS
?BGO	Fe:SrTiO3	KTN			SGGG-Gd	Zn (金屬單晶）
BSO	Fe:LiNbO3	KTa1-X NbXO3	MnPSe3		2H-SnS2	ZnSe
Bi2Se3	Fe3GeTe2	LaF3	MgO:LiNbO3		Sb2Te3	ZnTe
Bi2Se2Te	FePS3	LaAlO3	MoWS2		SnS	零衍射板Si
Bi2Te2Se	Fe3O4	LGS 硅酸鎵鑭	MoWSe		SnSe	零衍射板SiO2
BN	Ga2O3-?	近化學(xué)計(jì)量比LiNbO3晶體	MoWTe		Si-Ge	二維晶體
Bi2Se3O9	GaAs	LiAlO2	MoSSe		TbScO3
CaF2	GaN	LiGaO2	MoSTe		? Ti
CaCO3	GaP	La3Ga5SiO14	MoSeTe		TiO2(銳鈦礦型,金紅石型)
Cu	GaSb	LSAT	2H-MoTe		Nb：TiO2（金紅石型）
Ce:Lu2SiO5	Ge	LiNbO3	?NaCl		TGG
CE：YAG	GGG?& SGGG	LiTaO3	NdCaAlO4		TeO2
CdWO4	GaTe	?Lu2SiO5?: Ce	NbSe2
	Ga：ZnO	LiF	NiPS3
	GaSe	LaSrAlO4	NiPSe3
	GGG	LGT鉭酸鎵鑭
	GSGG-Gd
	GYSGG
	GeSe

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