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A-Z晶體及材料加熱爐系列樣品處理設(shè)備電池制備設(shè)備分析檢測設(shè)備其他實驗室設(shè)備技術(shù)支持/服務(wù)培訓(xùn)

加熱爐設(shè)備
晶體及材料
破碎/球磨設(shè)備
壓片設(shè)備
輥壓設(shè)備
切割設(shè)備
磨拋設(shè)備
清洗設(shè)備
電池研發(fā)設(shè)備
薄膜制備
配件
其它實驗室設(shè)備

熱處理設(shè)備: 管式爐箱式爐箱管混合

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加熱方式: 電阻加熱紅外燈管加熱感應(yīng)加熱微波加熱

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加熱形式: 常規(guī)爐立式箱管混合式回轉(zhuǎn)爐

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加熱溫度: 300-1200 1250-1500 1600-2000

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加熱溫區(qū): 單溫區(qū) 雙溫區(qū) 三溫區(qū) 多溫區(qū) 感應(yīng)加熱專用

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管徑: ф?25 ф?50 ф?60 ф?80 ф?100 ф?120及以上

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1200℃ALD-PECVD管式爐系統(tǒng)

型號：: ALD-1200X-4
產(chǎn)品概述：: ALD-1200X-4是一款4英寸管式爐系統(tǒng)，包含用于原子層沉積的2個ALD進(jìn)氣閥、1個精密液體氣相發(fā)生器以及用于CVD生長納米材料和薄膜材料的4通道質(zhì)子流量計控制系統(tǒng)。該管式爐系統(tǒng)簡潔的設(shè)計使得更多的科研院所能夠在可負(fù)擔(dān)的低成本情況下實現(xiàn)ALD工藝實驗。

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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情

控制面板	· 蒸汽壓力、ALD以及氣體流量參數(shù)均可通過一6英寸接觸屏由PLC進(jìn)行控制 · 兩個ALD進(jìn)氣閥 · 請點擊下圖查看控制面板（點擊圖片查看詳細(xì)資料）
產(chǎn)品特點	1.配備雙通道ALD氣閥 2.配備氣液混合系統(tǒng) 3.多種加熱區(qū)與質(zhì)子流量計規(guī)格可選 4.模塊化設(shè)計，自由的搭建方案
ALD進(jìn)氣閥	兩個ALD脈沖電磁閥（最小可在10ms完成閥門的開啟或關(guān)閉）
精密液體氣相發(fā)生器	精密液體氣相發(fā)生器包含在本系統(tǒng)中并且連接到ALD進(jìn)氣閥
雙溫區(qū)管式爐	· 連續(xù)工作的最高溫度為1100℃ · 兩個溫區(qū)由兩個獨立的溫控系統(tǒng)來控制，而且都為50段程序化控溫 · 每個加熱區(qū)長度為200mm，加熱區(qū)總長度為400mm · 爐管兩端放置管堵時兩溫區(qū)的最大溫度差為500℃ · 輸入電壓：208-240V AC，單向 · 最大功率為4KW
防腐型數(shù)顯真空計	· 測量范圍：3.8x10-5 -1125 Torr · 耐腐蝕 · 對于氣體的壓力檢測具有較高的精確度和重復(fù)性 · 可實現(xiàn)快速的氣體監(jiān)測，響應(yīng)時間較短 · 易于更換插頭及傳感元件
真空泵（選配）	· 管內(nèi)真空度可達(dá)10-2Torr · 真空泵不包含在本系統(tǒng)內(nèi)，如您進(jìn)行CVD實驗可點擊下圖選購無油渦旋真空泵
混氣系統(tǒng)?	· 可選購氣液混合裝置，用于CVD系統(tǒng) · 可選購恒溫控制模塊
更新觀念	· 您可采用ALD設(shè)備搭建等離子增強原子層沉積+化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PE-ALD+CVD）和等離子增強原子層沉積+物理氣相沉積+化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)（PE-ALD+PVD+CVD），用于生長各類材料 · ( PE-ALD+CVD) ( PE-ALD+PVD +CVD)
質(zhì)保期	一年保質(zhì)期，終身維護(hù)（不包含爐管，加熱元件和密封圈）
質(zhì)量認(rèn)證	· 如您另付費用，我們可保證單臺儀器通過TUV（UL61010）或CSA認(rèn)證
注意事項	· 爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa · 由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高，所以向爐管內(nèi)通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全 · 當(dāng)爐體溫度高于1000℃時，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng)，保持在常壓狀態(tài) · 進(jìn)入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊 · 點擊此處了解如何選擇本公司石英/陶瓷管以及管式爐真空法蘭本公司有權(quán)隨時修改PE-CVD系統(tǒng)的設(shè)計不再另行通知，但我們保證修改之后的儀器質(zhì)量可以達(dá)到和超過上述標(biāo)準(zhǔn)