- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實(shí)驗(yàn)室設(shè)備
非極性氮化鎵(GaN)晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
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本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實(shí)物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細(xì)信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標(biāo)文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
|
晶體定位面： | A plane <11-20>+/-1;M plane <1-100>+/-1°. | 傳導(dǎo)類型： | N型；半絕緣型 | 電阻率： | R<0.5 Ω.cm；R>106Ω.cm | 表面粗糙度： | <0.5nm | 位錯密度： | <5x106Ω.cm | 可用表面積： | >90% | TTV: | ≤15um； |
|
| 產(chǎn)品規(guī)格
|
常規(guī)尺寸：10x5x0.5mm； 厚度公差：+/-0.05mm； 注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝
|
1000級超凈室100級超凈袋 |
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