- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
- 輥壓設(shè)備
- 切割設(shè)備
- 磨拋設(shè)備
- 清洗設(shè)備
- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
硅鍺(Si-Ge)晶體基片
- 產(chǎn)品概述：
免責(zé)聲明：
本站產(chǎn)品介紹內(nèi)容（包括產(chǎn)品圖片、產(chǎn)品描述、技術(shù)參數(shù)等）僅用于宣傳用途，僅供參考。由于更新不及時和網(wǎng)站不可預(yù)知的BUG可能會造成數(shù)據(jù)與實物的偏差，請勿復(fù)制或者截圖。如果您對參數(shù)有異議，或者想了解產(chǎn)品詳細信息及更多參數(shù)，請與本公司銷售人員聯(lián)系。本站提供的信息不構(gòu)成任何要約或承諾，請勿將此參數(shù)用于招標文件或者合同，科晶公司會不定期完善和修改網(wǎng)站任何信息，恕不另行通知，請您諒解。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
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單晶: | Si-Ge （ wt 2%） | 導(dǎo)電類型: | P type | 電阻 | 7-8 ohm-cm | 拋光情況： | 單面/雙面拋光 | 表面粗糙度 | ＜5A |
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| 產(chǎn)品規(guī)格
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常規(guī)晶向：<100>；常規(guī)尺寸：dia4″x0.5mm； 注：可按照客戶要求加工尺寸及方向。 |
| 標準包裝
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1000級超凈室100級超凈袋 |
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