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1200℃坩堝可移動型HPCVD爐
關(guān)鍵字:
CVD 坩堝可移動
型號:
OTF-1200X-S-HPCVD
產(chǎn)品概述:
OTF-1200X-S-HPCVD是一款坩堝可在爐管內(nèi)移動(靠步進(jìn)電機(jī)控制)的小型開啟式管式爐。爐管外徑為50mm,設(shè)備最高工作溫度為1200℃。通過觸摸屏數(shù)字控制器控制樣品臺或坩堝在爐管內(nèi)的位置和溫度。此設(shè)備可進(jìn)行快速熱處理,例如混合物理化學(xué)沉積(HPCVD),快速熱蒸發(fā)(RTE),以及在各種氣氛下進(jìn)行的水平布里奇曼晶體生長(HDC),用于新一代晶體研究。
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實(shí)驗(yàn)案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
產(chǎn)品名稱

1200℃坩堝可移動型HPCVD爐-OTF-1200X-S-HPCVD


產(chǎn)品提示

1.多種配件可選提示    2.科晶實(shí)驗(yàn)室邀請?zhí)崾?/span>  ? 3.配件妥善保管提示


產(chǎn)品特點(diǎn)

· 爐子配備步進(jìn)電機(jī),通過觸摸屏數(shù)字控制器使樣品臺或坩堝在爐管內(nèi)移動。

· 最高溫度可達(dá)1200℃。

· 雙層殼體結(jié)構(gòu),并帶有風(fēng)冷系統(tǒng),可有效降低殼體表面溫度。

· 內(nèi)爐膛表面涂有美國進(jìn)口的高溫氧化鋁涂層可以提高設(shè)備的加熱效率,同時也可以延長儀器的使用壽命。

· 可選擇改造為雙溫區(qū)管式爐,但需額外付費(fèi),以產(chǎn)生更高的熱梯度或更長的恒溫區(qū)。

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基本參數(shù)

· 最高溫度: 1200℃(≤30min)  工作溫度: 1100℃

· 推薦升溫速率:≤10℃/min

· 加熱區(qū)長度:200mm

· 加熱元件:摻鉬鐵鉻鋁合金

· 電壓:220V

· 最大功率為:2KW


真空密封

· 高純石英管50mm外徑x44mm內(nèi)徑x 450mm長

· 采用KF結(jié)構(gòu)密封法蘭,硅膠密封圈密封

· 法蘭上安裝有一個機(jī)械壓力表

· 右端法蘭與一個真空不銹鋼波紋管連接


坩堝移動機(jī)構(gòu)和PLC控制

· 一個直徑為1/4"的鎧裝熱電偶(K型),通過法蘭伸入到爐管中,并可隨坩堝移動,可實(shí)時監(jiān)測樣品的實(shí)際溫度。(見圖一)

· 通過步進(jìn)電機(jī)移動爐管內(nèi)的坩堝(樣品臺),最大行程為100mm。

· 通過觸摸屏設(shè)定坩堝一定的距離和目標(biāo)位置,坩堝移動速度為180mm/min(可根據(jù)要求提供變速控制,但需額外付費(fèi))。(見圖二)

· 在熱電偶上安裝了一個微型坩堝舟。( 見圖三)

· 可根據(jù)要求提供用于晶片的氮化鋁樣品架或石墨平板基底支架,將收取額外的定制費(fèi)(見圖四)。

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         圖一                          圖二                            圖三 


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             圖四                                              圖五                  


溫控系統(tǒng)

· 采用PID方式調(diào)節(jié)溫度,可設(shè)置50段升降溫程序

· 溫控儀表中帶有過熱和斷偶保護(hù)

· 儀表控溫精度: +/- 1°C

· 熱電偶型號:K型


質(zhì)保

· 一年保修,終身技術(shù)支持。
· 特別提示:

   1.耗材部分如加熱元件,石英管,樣品坩堝等不包含在內(nèi)。

   2.因使用腐蝕性氣體和酸性氣體造成的損害不在保修范圍內(nèi)。

點(diǎn)擊查看售后服務(wù)承諾書。


應(yīng)用技術(shù)提示

· 由于氣瓶內(nèi)部氣壓較高,所以向爐管內(nèi)通入氣體時,氣瓶上必須安裝減壓閥。

· 進(jìn)入爐管的氣體流量需小于200sccm,以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊。

· 石英管的長時間使用溫度<1100℃。

· 降溫時請利用程序降溫,不建議直接按“STOP”鍵降溫,設(shè)備溫度未降到室溫前不要直接關(guān)掉設(shè)備電源,防止出現(xiàn)安全問題。

· 該多功能爐適用于以下應(yīng)用:

· RTE(快速熱蒸發(fā)):蒸發(fā)料放在坩堝中,放入到爐體中心,基片放在樣品臺上,樣品臺與熱電偶相連接,然后將樣品臺移動到理想的位置(此位置溫度是實(shí)驗(yàn)所需要的溫度)。

· HPCVD(混合物理化學(xué)沉積):與RTE相似,但需配混氣系統(tǒng),對反應(yīng)氣體混合并控制流量,同時也需設(shè)定蒸發(fā)料的位置(確定蒸發(fā)料的蒸發(fā)溫度)。

· 水平布里奇曼晶體生長:將樣品和籽晶裝入坩堝中,并將其放置在爐子的中心位置。以所需的速度移動坩堝,可以在合適的溫度梯度下生長單晶。

· 對于水平定向結(jié)晶(HDC),您可以使用氣體進(jìn)料槽。(見下圖)

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警示

· 當(dāng)爐體溫度高于1000℃時,爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài),爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當(dāng),保持在常壓狀態(tài)。

· 爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa。

· 爐管不建議正壓使用,對于樣品加熱的實(shí)驗(yàn),不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱,則需時刻關(guān)注壓力表的示數(shù),若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa,必須立刻打開泄氣閥,以防意外發(fā)生(如爐管破裂,法蘭飛出等)。


可選配件

· 多種供氣系統(tǒng)可選。(圖1)

· 建議在本公司選購減壓閥,本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全。(請點(diǎn)擊這里學(xué)習(xí)如何安裝減壓閥)。(圖2)

· 可選購壓力控制模塊來監(jiān)控并保持工作腔室壓力穩(wěn)定。(圖3)

· 可選購歐陸儀型溫控儀表,控溫精度可以提升到±0.1℃。(圖4)

· 可選購石英管堵,提高路管內(nèi)的潔凈度和幫助獲得高真空。(圖5)

· 可選購石英舟盛放樣品。(圖6)

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         圖一                     圖二                         圖三


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         圖四                      圖五                        圖六

PC控制(選配)

· 請?jiān)谫徺I爐子前,準(zhǔn)備一臺電腦。

· 可選購MTS-02?控制軟件,可在電腦上顯示和設(shè)定壓力和溫度程序,以達(dá)到遠(yuǎn)程控制。

· 購買帶有PC控制的加熱爐,如有疑問請聯(lián)系我們的銷售人員。  

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真空配件(選配)

· 真空可選配件包括真空泵,波紋管和手動擋板閥。

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· 對于易損耗件高溫硅膠O型密封圈除了標(biāo)配數(shù)量外可進(jìn)行額外訂購。

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· 機(jī)械真空計(jì)(作為設(shè)備標(biāo)配),范圍從-0.1到0.15Mpa。

· 可選配防腐型數(shù)顯真空表,測量范圍為3.8×10E -5至1125 Torr之間。除了具有較高的精度和重復(fù)性及較短的響應(yīng)時間外,該儀表還降低了由于氣體類型依賴性而造成的氣壓讀數(shù)錯誤從而導(dǎo)致的腔室爆炸風(fēng)險。

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真空泵組(選配)

此設(shè)備也可以進(jìn)行抽真空,配合本公司生產(chǎn)的真空泵組

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